NEC、高速次世代磁気メモリ（MRAM）を開発

NECは、データ保持に電力を消費せず、書換回数制限のない超高速次世代メモリである磁気メモリ（MRAM:Magnetoresistive Random Access Memory）において、世界最高速となる250MHz動作の実証実験に成功したと発表した。

動作の実証に成功したMRAMは、NECが独自に開発・設計・試作したもので、容量が1Mb、トランジスタ2個と磁気抵抗素子1個からなるメモリセルや、独自の回路方式などを採用。

これらにより、従来のMRAMの最高速である周波数100MHzの2倍以上で、現在のシステムLSIに組み込まれているSRAMと同等の速度となる、250MHzの超高速動作を世界で初めて実現した。

MRAMは、SRAMにはない電源を切ってもデータが保持される機能（不揮発性）があり、同様に不揮発性のあるフラッシュメモリよりも大幅に高速動作が可能な次世代メモリ。一般的に、高速性、不揮発性、およびSRAMの約2分の1となる低消費電力が実現できるとされている。

これらにより、パソコンの起動が瞬時に行える、車載ドライブレコーダーで衝突直後のデータを記録するなど、様々な分野の新しい機器や新しい機能を実現できるとしている。

＜コメント＞
新しい記憶デバイスとしてMRAMも着々と開発が進んでいるが、現在オーディオプレーヤーに搭載されているフラッシュメモリに要求されているのは大容量と低コストであり、その面でのメリットがないとMRAMに簡単に置き換わることはないだろう。

関連リンク：NECの発表リリース