東芝、32nmプロセスのNANDフラッシュメモリのサンプル出荷を開始

東芝は、最先端32nmプロセスを用い、1チップで32Gbit（4GB）の大容量を実現するNAND型フラッシュメモリを製品化し、サンプル出荷を始めると発表した。

今回出荷を開始する32nmプロセスを適用した32Gbit品は、最先端の微細化技術を駆使し、チップサイズを小さくすることで、生産効率を向上するだけでなく、小型パッケージでの大容量製品ラインアップを充実させることを可能とするもの。

東芝では、現在は、43nmプロセスを適用した32GbitのNAND型フラッシュメモリを供給しており、同チップを8段積層しパッケージに封入した32GBの製品を出荷している。

製品サンプル出荷を開始する32Gbit品については、当初計画から2ヶ月前倒しを行い、2009年7月から四日市工場での量産を開始する。また、16Gbit品は2009年度第3四半期（10-12月）から量産を開始する予定としている。

＜コメント＞
携帯プレーヤーや携帯電話だけでなく、SSDなど用途の拡がっているフラッシュメモリはより大容量のものを低コストで生産することを求められるようになっている。韓国メーカーなども攻勢に対抗する意味でも東芝の素早い取り組みが生き残り競争の激化を物語っている。

関連リンク：東芝の発表リリース