Samsung、30nm64GbitNANDフラッシュチップを開発

韓国Samsung Electronicsは、30ナノメートル（nm）プロセス技術を使った世界初の64Gbitマルチレベルセル（MLC）NANDフラッシュメモリチップを開発したと発表した。

このメモリチップを利用することで、最大16個を搭載した128GBのメモリカードを作ることができるとしている。

このメモリチップはSaDPT（Self-aligned Double Patterning Technology）という新しい製造技術を採用。Samsungは既存のリソグラフィ設備を使って、2009年に30nmプロセスでこのチップの製造を開始する予定。既存設備の活用により、迅速化とコスト効率の改善が可能としている。

2009年より製造を開始する予定。

＜コメント＞
フラッシュメモリ容量の大容量化が一層進むための技術。製品に採用されるためにはコスト削減も必須となるが、そのための製造技術にも改善がなされていることがポイント。ただ、メモリカード化するには最大32GBとなっているSDHC以上の規格が必要となる。

関連リンク：Samsungの発表リリース