IntelとSTMicro、相変化メモリのサンプル出荷を開始

米IntelとSTMicroelectronicsは、業界初となる相変化メモリ（Phase Change Memory）LSI「Alverstone」（開発コード名）の試作サンプルを顧客向けに出荷開始したと発表した。

相変化メモリは、フラッシュメモリと比べ、高速な読み書きと低消費電力駆動が可能。

今回開発したのは製造プロセス・ルールが90nm、記憶容量128Mbit品。携帯電話機や組み込み機器のメーカーなどに評価用として提供する。

＜コメント＞
次世代フラッシュメモリとして期待される相変化メモリだが、急速に大容量化が進むフラッシュメモリに比べると今回のサンプル品はまだまだ容量も少なく製造プロセスも古い。フラッシュメモリと比較した場合の優位性がどこまで生かせるかで今後の大容量化と実用化が進むことになるだろう。

関連リンク：Intelの発表リリース