産総研など、書き換え回数1億回以上のフラッシュメモリを開発

産業技術総合研究所（産総研）は東京大学と共同で、強誘電体ゲート電界効果トランジスタ（FeFET）をメモリーセルとして用いるとNANDフラッシュメモリーの性能が著しく向上することを実証したと発表した。

今回作製したメモリーセルの書き換え回数は1億回以上、書き込み電圧は6V以下。従来型のNANDフラッシュメモリーのメモリーセルの書き換え回数が1万回、書き込み電圧が20Vだった。

従来のNANDフラッシュメモリーの微細化の限界は30nm程度とされているが、今回作製したメモリーセルの技術を強誘電体NANDフラッシュメモリーに応用することにより、将来の20nm、10nm技術世代にも対応できるとしている。

＜コメント＞
フラッシュメモリは回路微細化による大容量化と低コスト化が進んでいるが、その限界も指摘され始めていた。特に書き換え回数の少なさは、製品寿命の短さを意味し、いずれ携帯プレーヤーでも問題になるだろう。今回の技術は製品寿命を延ばすことも意味し、フラッシュメモリーを搭載するあらゆる製品で期待されるだろう。

関連リンク：産業技術総合研究所の発表リリース