IntelとMicron、34nmプロセスNAND型フラッシュメモリを開発

米Intelと米Micron Technologyは、34ナノメートル（nm）プロセスによる32Gbitのマルチレベルセル（MLC）NAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。

このフラッシュメモリはIntelとMicronの共同開発によるもので、製造は両社の合弁企業IM Flash Technologies（IMFT）が行うとしている。

パッケージ形状は48ピンTSOP（Thin Small Out-Line Package）、サイズは172平方ミリ。

サンプル出荷開始は2008年6月、2008年下半期に量産を開始する予定。

＜コメント＞
主なターゲットとしてSSDが挙げられているが、小型かつ高密度のフラッシュメモリであれば、携帯プレーヤーへの搭載も十分に期待できる。

関連リンク：Intelの発表リリース