東芝、19nmプロセスのNANDフラッシュメモリを開発

東芝は、世界最小の19nmプロセスを用いた64Gbit（8GB）の大容量NAND型フラッシュメモリを開発し、2011年4月末からサンプル出荷を開始すると発表した。

今回開発された64Gbit品は、世界で初めて10nm台のプロセスを採用し、従来品よりもチップサイズを縮小しており、スマートフォンやタブレットPCで採用されている小型のパッケージ内に16段までの積層が可能となり、より大容量の製品の実現が可能となっている。

インターフェース仕様にはNAND型フラッシュメモリのToggle DDR2.0仕様を採用しデータの転送を高めている。

2011年第3四半期（2011年7-9月期）から量産出荷を開始する予定としており、今後、3bit/セルの製品もラインアップに加えていくとしている。

＜コメント＞
フラッシュメモリの集積化も進み、より小さな機器で大容量のデータを扱うことができるようになる。その際に想定される機器は、以前のオーディオプレーヤーからメディアプレーヤーと移り、現在ではタブレットPCやスマートフォンへと移っている。オーディオプレーヤーではオーバースペックなのだろうが、こうした技術を採用した独創的なモデルの登場も期待したいところ。

関連リンク：東芝の発表リリース