東芝とSanDisk、世界最大容量128GbitのNANDフラッシュメモリを開発

東芝とサンディスクは、19nmプロセスを用いて世界最大容量128Gbit（16GB）を実現した3bit/セルのNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。

メモリセルにデータを三段階で書き込む際、二段階目ですべてのビットを大まかに書き終え、三段階目で微修正だけを行い、書き込み済みのメモリセルに影響をおよぼす現象を約5%にする独自の高速書き込み回路方式と、セルの間に空洞を形成しセル同士の干渉を抑えるエアギャップ構造により、3bit/セル製品としては世界最速の18MB/秒の書き込み速度を実現した。

また、メモリセルを制御する回路を片側に寄せて配置するなどの回路構成の工夫により、周辺回路群の配置面積を約20%減らすことに成功し、128GbitのNAND型フラッシュメモリとしては世界最小の170平方mmというチップサイズを達成した。

すでに2012年2月より量産出荷を開始している。

＜コメント＞
単純な回路プロセスの微細化だけでは集積のペースはニーズに追いつけなくなっており、その他の様々な工夫で大容量を実現していることがよく分かる。

関連リンク：東芝の発表リリース