東芝、第2世代19nmプロセスを用いた組込み式NAND型フラッシュメモリを発表

東芝は、スマートフォンやタブレットなどの携帯機器向けに、19nm第2世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップを採用した、32GBと16GBの組込み式NAND型フラッシュメモリ（e・MMC）を製品化し、2013年11月下旬から量産を開始すると発表した。

新製品は、2013年9月に開催されたJEDECで正式に策定された e・MMCTM Version 5.0に準拠し、19nm第2世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリとコントローラチップを一体化した制御機能付の組み込み式NAND型フラッシュメモリ。

最先端プロセスを採用したNAND型フラッシュメモリチップを使用することにより、従来製品に比べてパッケージサイズ面積を22%小型化している。

また、新規高速インターフェース規格HS400の適用、コントローラの処理能力向上、書き込み処理の最適化などにより、従来製品に比べて読み出し速度が64%、書き込み速度が32GBで38%、16GBで25%、高速化した。

パッケージは153ピンFBGAで、サイズは11.5×13×0.8～1mm(幅×奥行き×高さ)。バス幅はx1/x4/x8。駆動電圧はメモリコアが2.7～3.6V、インターフェイスが1.7～1.95V/2.7～3.6V。動作温度は-25～85℃。

今後は4GB、8GB、64GB、128GBの製品も順次量産を行う予定としている。

＜コメント＞
すでに一般的になったフラッシュメモリだが、プロセスの進化に伴う方向性が大容量化だけでなく高速化も図られている点は注目に値する。

関連リンク：東芝の発表リリース