東芝、15nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリを開発

東芝は、15nmプロセスを用いた2ビット/セルの128ギガビット（16ギガバイト）のNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。

新製品は、世界最先端の15nmプロセスを適用するとともに周辺回路の工夫により、世界最小クラスのチップサイズを実現、19nmの第二世代品と比較して書き込み速度はほぼ同等、また、データ転送速度は高速インタフェース仕様の採用により、1.3倍の速さである533メガビット/秒を実現している。

2014年4月末から四日市工場の第5製造棟で、現行世代の19nm第二世代品から切り替えて順次量産を開始、現在建設中の第5製造棟（第2期分）の完成後、2014年の秋には同棟でも製造を行うとしている。

また、本プロセスを採用した3ビット/セル製品も第1四半期中の量産開始を計画しており、並行して開発している高性能NANDコントローラを組み合わせてスマートフォンやタブレットPCなどに展開する予定としている。

＜コメント＞
フラッシュメモリも回路の微細化が進んでおり、より安価で大容量のメモリを利用できるようになると期待できる。

関連リンク：東芝の発表リリース