シャープと台湾の半導体メーカーWinbond Electronicsは、シャープが開発したメモリセル技術“ACT1”を用いて、0.18ミクロン及び0.13ミクロンのフラッシュメモリ技術を共同開発することで合意したと発表した。
ACT1は、従来の標準的なNOR型フラッシュメモリセルに比べて、メモリセルの面積を約1/2に縮小できるメモリセル技術。これにより、同じデザインルールでは、メモリ容量を2倍に拡大することが可能なため、大容量化および低コスト化が実現できる。
今回の提携によって、シャープでは、IC事業の柱であるフラッシュメモリの開発力強化と将来に向けた生産能力確保が図れ、Winbond Electronicsにおいては、自社のフラッシュメモリを補完し、低消費電力DRAMと擬似SRAM製品と合わせて、モバイル用途向けのメモリソリューションを実現できる。
この提携による最初の製品は、0.13ミクロンプロセスを用いた128Mbitまたは256Mbitのフラッシュメモリで、2004年第1四半期に実現する予定。販売は両社がそれぞれのブランドで行う。
＜コメント＞
フラッシュメモリの発表が相次いでいる中、メモリセルを縮小する技術は実現度が高いように思えるが、ロードマップは意外と先になっている。その頃のプレーヤーの姿はどうなっているだろうか。
関連リンク：シャープの発表リリース |
