東芝は、SanDiskと共同で世界で初めて多値技術を利用した1GbitNAND型フラッシュメモリを開発、1GbitのTSOPパッケージ品「TC58010FT」のサンプル出荷を開始したと発表した。
多値技術とは、従来、メモリセルごとに「0」か「1」のどちらかを記録する2値技術により1bitのデータを保持していたが、これをメモリセルごとに「0/0」、「0/1」、「1/0」、「1/1」の4つの値のいずれかをとることにより2ビットのデータを記録することができ、回路の微細化をすることなく2倍の容量を実現できるフラッシュメモリの記録方式。
新製品は、0.16ミクロンの微細加工技術を利用した512MbitのNAND型フラッシュメモリに多値化技術を採用し1Gbitの大容量化を実現した。サンプル価格は10,000円。量産出荷は2002年初めを予定している。
さらに1GbitNAND型フラッシュメモリを2個積層し2Gbitを実現したTSOPパッケージ品も開発、2001年12月からサンプル出荷を開始する予定。こちらはサンプル価格20,000円、量産出荷は2002年第1四半期予定。
なお、東芝は1999年7月にSanDiskとNAND型フラッシュメモリの共同開発につき包括的提携を結んでおり、新製品はその一環として開発された。2000年5月には、両社出資の製造合弁会社フラッシュビジョン社を設立、2001年7月からは同合弁会社を通じて、東芝の子会社である米国・ドミニオン社でもNAND型フラッシュメモリの生産を開始している。
＜コメント＞
大容量フラッシュメモリ技術の発表が相次いでいるが、実際にサンプル出荷が開始されているのはアドバンテージ。EMDプレーヤーへの利用にも開発の背景として言及されており、低コストでのメモリの大容量化が期待される。
関連リンク：東芝の発表リリース |
