日立製作所は、同中央研究所および同デバイス開発センタと共同で、ギガバイト時代のフラッシュメモリ用に多値で高速書込みを実現する次世代AND型フラッシュメモリセル「AG-AND(Assist Gate-AND)」を開発したと発表した。
多値とは、通常のメモリでは'0'/'1'の2つの値を記憶しているのに対し、‘00'/‘01'/‘10'/‘11'など4つ以上の値を持たせる技術で、チップサイズの縮小に有効な大容量フラッシュメモリに適しているとされている。
多値化技術は4つの値を持つ場合、1セルで2セル分の働きを実現する一方、2値のセルに比べて遅いと言う問題点があった。
今回発表されたセルは、セル構造にセル間の干渉を防ぐアシストゲート（Assist Gate）を採用した独自開発のフィールドアイソレーション（Field Isolation）方式を、書込み方式にホットエレクトロン方式を採用する事により、多値のメモリセル構成でも高速書込みが可能となった。
この技術により、マルチメディアカードなどの小型フラッシュカードが当面の目標としている0.13μmプロセスにおいて10Mバイト/秒の書込みを実現できるとしている。
日立では、この技術を使ってギガビットクラスのフラッシュメモリおよびそれを使った各種フラッシュカードやシステムを製品化する予定。
＜コメント＞
フラッシュメモリの大容量化と高速化はプレーヤーにとってはより魅力的な製品を実現するためにはプラスと言える。ただし、マルチメディアカードに関しては互換性の問題もあり、既存製品にとっては必ずしも意味があるとは言えない。
関連リンク：日立製作所の発表リリース |
