日立製作所 半導体グループは、動画像など大容量データの高速記録用に、業界で初めて10MB/秒の高速書込みを実現した1G（ギガ）ビットの多値フラッシュメモリ「HN29V1G91」を製品化し、2002年10月からサンプル出荷を開始すると発表した。
「HN29V1G91」は、0.13μmプロセスの採用と、多値による小チップサイズかつ高速書込みを実現する当社の次世代AND型フラッシュメモリセル「AG-AND(Assist Gate-AND)」を採用。従来の多値フラッシュメモリに対し5倍に高速化した10Mバイト/秒の書込みを実現している。
1チップで128MBのデータを13秒程度で記録できるため、高画質のデジタルスチルカメラやシリコンムービーなど、動画像を含む大容量コンテンツを高速に受信する際の記録メディアとして最適となっている。
パッケージは、512MbitAND型フラッシュメモリと同サイズの48ピンTSOPタイプIを採用。サンプル価格は8,000円となっている。
日立では、本製品を搭載した小型カードとして、1GBのコンパクトフラッシュおよび256MBのマルチメディアカードの開発を計画しており、高速書込みによりブロードバンドや無線LANなどの高速通信インフラを快適に活用可能なストレージソリューションを提供していくとしている。
＜コメント＞
チップもさることながら、256MBのMMCの開発計画に注目。MMCのフォームファクタはSDカードに取って代わられており、利用できるアプリケーションが揃うのかが問題。転送速度の高速化による互換性の確保も必須だろう。
関連リンク：日立の発表リリース |
