東芝は、業界最速の書き込み速度10MB/秒を実現した業界最大容量1Gbit NAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。
開発した製品は、0.13ミクロンの微細加工技術を採用し、2値技術を用いたNAND型フラッシュメモリ。従来製品に比べ一度に書き込みできるページサイズを従来の4倍に拡張、データ入力時間を短縮できるライト・キャッシュ機能を採用し、業界最速の書き込み速度10MB/秒を実現している。
データ蓄積用に需要が拡大しているデジタルスチルカメラや携帯情報端末、また半導体メモリを使用したオーディオ製品等の用途に向けられる。
TSOPパッケージ品「TC58NVG0S3AFT」のサンプル出荷はすでに開始しており、サンプル価格は8,000円。量産出荷は2002年末からを予定している。
また、1Gbit NAND型フラッシュメモリを2個積層した2Gbit品についても商品化し、2002年10月からサンプル出荷を開始し、2002年末から量産開始する予定としている。
なお、東芝は1999年7月に米SanDiskとNAND型フラッシュメモリの共同開発について包括的提携を結んでおり、新製品はその一環として開発されたもの。量産は両社出資の製造合弁会社フラッシュビジョン（東芝四日市工場内）にて行われる。
＜コメント＞
順調に大容量化を進めていくフラッシュメモリ。デジタルカメラはまだ容量が多ければ多い方が良さそうだが、オーディオプレーヤーではあまり大容量でも使い切れないという頭打ち感もあり、高く売りたいメーカーと消費者との落とし所が探られるだろう。
関連リンク：東芝の発表リリース |
