東芝は、130nmの微細加工技術を採用し、業界最大となる2Gbitの大容量を実現したNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。
最先端0.13ミクロンの微細加工技術を採用し、チップサイズを縮小でき、0.16ミクロン技術を採用した１Gbitの製品と同じパッケージサイズで2Gbitの大容量を実現した。
デジタルスチルカメラや携帯情報端末、また半導体メモリを使用したオーディオ製品等のデータ蓄積用に需要に応える。
メモリカード用に適したTSOPパッケージの製品「TC58DVG14B1FT00」のサンプル出荷を即日開始し、サンプル価格は7,000円。2003年6月から量産開始予定。
さらに、2Gbitのチップを2個積層した4GbitのTSOPパッケージの製品も商品化し、2003年4月からサンプル出荷を開始する予定。こちらの価格は14,000円。
なお、東芝は1999年7月に米SanDiskとNAND型フラッシュメモリの共同開発について包括的提携を結んでおり、新製品はその一環として開発されたもの。量産は両社出資の製造合弁会社フラッシュビジョン（東芝四日市工場内）にて行われる。
＜コメント＞
幾度も充分と言われながら、フラッシュメモリ搭載のプレーヤーの内蔵メモリ容量は増加するばかり。市場でも容量の大きな方が好まれる傾向があり、この技術開発は今後も進むだろう。
関連リンク：東芝の発表リリース |
