韓国サムスン電子は、70nm（ナノメートル）工程技術を適用した4Gb（ギガビット）NAND型フラッシュメモリーを開発したと発表した。
サムスンでは、NAND型フラッシュメモリーを、1999年の256Mb製品を筆頭に、2000年に512Mb、2001年に1Gb、2002年の2Gb、そして第4世代となる4Gbと、1年で容量が2倍となるペースで開発している。
今回開発したNAND型フラッシュメモリーに70nmプロセスを適用したことにより、世界最小0.025μ㎡というメモリーセルサイズを実現している。
また、業界で初めて300Å（オングストローム）厚のW（タングステン）ゲートを採用し、高い性能を確保した。
今回の4Gb NAND型フラッシュメモリーが商用化されると、4GB(ギガバイト)クラスのハードディスクの代替や8GBクラスのメモリーカードの供給も可能になると期待している。
＜コメント＞
当然、このフラッシュメモリーはオーディオプレーヤーにも適用されると考えられる。すでに実用以上の容量を備えているとはいえ、差別化要因としてGBクラスのプレーヤーも当たり前になるだろう。
関連リンク：サムスンの発表リリース |
