日立製作所とルネサス テクノロジは、0.016μm2（1ビット換算）の世界最小のメモリセル面積と、世界最速の書込み速度10Mバイト/秒を実現した、4ギガビットフラッシュメモリ用メモリセル基本技術を開発したと発表した。
この技術は、「多値かつ高速」を特徴とするAG-AND（Assist Gate-AND）型フラッシュメモリセルのソース・ドレイン構造を改良したものであり、90nmプロセスを適用した場合、従来に比べメモリセル面積を約30%に低減できる。
AG-AND型フラッシュメモリは、セル間の干渉を防ぐアシストゲート（Assist Gate）と、多値技術の採用などにより、セル面積の小型化と10Mバイト/秒の高速書込みを実現した第一世代が2001年に開発され、現在ルネサス テクノロジにおいて130nmプロセスの1GビットAG-AND型フラッシュメモリを量産中。
ルネサス テクノロジでは、今回発表の技術をコアとした4GビットAG-AND型フラシュメモリを2004年第3四半期に製品化予定としている。
＜コメント＞
低価格化と共に大容量の一途を辿っているフラッシュメモリ。大容量化と共に扱うデータが多くなると高速化も求められ、その取り組みのひとつと考えることができる。
関連リンク：日立製作所の発表リリース |
