米SanDiskと東芝は、業界最大容量となる4Gbit NAND型フラッシュメモリ「TC58NVG2D4BFT00」、および同製品を積層した8Gbit NAND型フラッシュメモリ「TH58NVG3D4BFT00」を製品化したと発表した。
新製品は1つのメモリセルに2bitを記録可能な多値技術を採用したフラッシュメモリ。90nmプロセスの2Gbit製品に組み込むことで、0.13μmプロセスの1Gbit製品と同じチップサイズで4Gbitの容量を実現した。
8Gbit製品は、これを2層重ねたもの。コンパクトフラッシュのサイズには8Gbitチップを4つまで搭載可能で、4GBの容量が可能となる。
新製品は、ページサイズの拡張やメモリセル制御システムの最適化により、当社従来の多値製品に比べ約8倍の書込み速度高速化を実現している。
4Gbit NAND型フラッシュメモリ「TC58NVG2D4BFT00」は2004年4月からサンプル出荷開始、サンプル価格は12,000円。8Gbit NAND型フラッシュメモリ「TH58NVG3D4BFT00」は2004年5月サンプル出荷開始、サンプル価格は24,000円となっている。
量産時期は2004年第3四半期を予定しており、量産規模は月産30万個となる。
また、4Gbit NAND型フラッシュメモリを4個積層させた16Gbit品についても、2004年第3四半期にサンプル出荷を開始する予定としている。
＜コメント＞
このところHDDプレーヤーに押されがちなフラッシュメモリを媒体としたオーディオプレーヤーだが、大容量化への技術は着実に進んでいる。問題は容量当たりのコスト。それだけのメリットをユーザーに提示しなければ支持はされないだろう。
関連リンク：東芝の発表リリース |
