東芝と日本電気（NEC）は、次世代不揮発磁気メモリ「MRAM（Magnetoresistive RAM）」の共同開発において、大容量MRAMの実用化に向けた技術を開発したと発表した。
MRAMは磁化方向により情報の蓄積ができるという磁気特性を利用したメモリ。高速、高密度、無限大の書き換え耐数といったDRAMの特長と、電源を切っても情報を保持できるフラッシュメモリの特長をあわせ持つ。
今回開発された技術は、電流の低減とセル面積の縮小という2点の課題を改善するもの。
1つは、情報を蓄積する磁気抵抗素子の形状を、長方形の長辺に半円をつけた形にすることで、書き込み電流を従来の1/2にする技術。
もう1つは、磁気抵抗素子を選択するトランジスタを素子4個に対して1つ配置する“高速クロスポイント構造”で、セル面積をDRAMと同程度に抑えながら250nsの読み出し速度を実現した。
両社は、2005年度に250nmルールの磁気抵抗素子作成技術と130〜180nmルールのCMOS作成技術を用いて、256Mbit MRAMの実現に必要な基盤技術を確立する予定としている。
＜コメント＞
ポータブルオーディオプレーヤーには欠かせないフラッシュメモリは書き換え速度が遅いという欠点がある。昨今の大容量化に伴いデータ転送速度の遅さが目立ってきている。こうした分野でも技術開発が進んでいるという発表。
関連リンク：東芝の発表リリース
NECの発表リリース |
