独Infineon Technologiesは、世界最小となるプロセスルール20nmのフラッシュメモリセルの作成に成功したと発表した。
市場で現在入手できる最も先進的なフラッシュメモリの構造サイズは90nm。この構造サイズを従来の技術を用いて半分にすることは、ナノスケールの物理効果のため、多くの問題に直面している。
同社は、トランジスタにフィンを備えた3次元構造を持たせることによって、漏れ電流など微細化に関わる課題を克服した。
新しく開発されたトランジスタは「FinFET （Fin Field Effect Transistor）」と呼ばれ、厚さ8nmのフィンが幅20nmのゲート電極によって制御される。
FinFETは、従来のトランジスタが1bitの記録に約1,000個の電子を必要とするのに対し、100個だけで1bitを記録でき、さらに100個の電子を用いることでもう1bit記録できるなど、電気特性に優れるという。
同社では、露光装置など製造に関するすべての課題を解決できた場合、近年中に32Gbit（4GB）のメモリチップを実現できるとしている。
＜コメント＞
フラッシュメモリの大容量化も着実に進んでいる印象。今回の発表で実現できるとしているメモリチップは現在の8倍に当たるが、コストの問題などもあり一般に普及するには時間がかかると思われる。
関連リンク：インフィニオンの発表リリース |
