東芝と米SanDiskは、8GbitのNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。
8GbitのNAND型フラッシュメモリは、70nmプロセスルールで製造され、1つのメモリセルに2bitデータの保持を可能にする多値技術を用いて、容量の2倍増を実現した。
また、回路設計技術の革新によりチップ部分の効率を改善し、チップ面積を4Gbit（90nmプロセス）世代から5%未満の増加に抑えた146平方mmとした。
速度面では、データ伝送効率の高いバーストモード採用などにより、従来製品比で40%高速となる読み込み60MB/secを達成。書き込みは、回路技術の最適化により書き込み時間を減少し、6MB/secに対応するという。
8GbitのNAND型フラッシュメモリは、2005年夏から東芝四日市工場で量産を開始する予定。
また2006年には、1パッケージに8Gbit NAND型フラッシュメモリを2層にした16Gbit NAND型フラッシュメモリの商品化も計画している。
＜コメント＞
8Gbitと言えば、1チップで1GBを実現できると言うこと。コスト面のメリットも期待され、オーディオプレーヤーも本格的にGBクラスが中心になっていくものと見られる。
関連リンク：東芝の発表リリース |
