東芝、43nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリを開発

東芝は、最先端43nmプロセスを用い、1チップで16Gbit（2GB）の大容量を実現するNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。

このメモリでは、並列メモリセル数を従来の32セルの2倍にし、さらに両端にダミーワード線を加えた66セルにしており、これによりメモリセルの両側にあるセレクトゲートの数を削減し、面積効率を向上している。

また、周辺回路において、高電圧スイッチを入れることで、コントロールゲートドライバを共有化し、電源用配線をセルアレイ上に通すなどの設計の見直しによって、さらなるチップ面積削減を実施した。

微細化とあわせてこれらの技術を適用することで、56nm世代の同容量製品に対しチップ面積を約30%削減し、16Gbit品で約120m㎡のチップサイズを実現している。

東芝では、新技術を適用し、まずは現在市場で主流の16Gbit品を、2008年2月7日から製品サンプル出荷し、3月から四日市工場での量産を開始する。また、2008年第3四半期(7-9月)の早期に、容量を2倍に高めた32Gbit品の量産を開始する予定としている。

＜コメント＞
NAND型フラッシュメモリはその旺盛な需要に応じるように、製造技術の進歩と、それに伴う大容量化、記憶容量当たりのコスト低減を進めている。その需要を支えているひとつがポータブルプレーヤーであるが、少なくとも国内においては需要が一巡している面もあり、今後は新しい用途開発も進められていくだろう。

関連リンク：東芝の発表リリース